Vishay 表面安装 P 沟道 MOSFET 是一种新时代的产品，漏极源电压为 12V ，最大栅极源电压为 10V。在 4.5V 的栅极源电压下，漏极源电阻为 34mohm。它的最大功耗为 2.8W ，连续漏极电流为 4A。此晶体管的最小和最大驱动电压分别为 1.5V 和 4.5V。MOSFET 经优化可降低开关和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
• 无卤素
•无铅 (Pb)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
•典型 ESD 性能 1500V
•移动电话
• DSC
• GPS
•负载开关
• MP3
•便携式设备的 PA 开关和电池开关
•便携式游戏机
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21
•经过 RG 测试
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 封装类型 | SOT-363 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 0.034 O |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
