此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
印迹仅为 0.6mm2
- 比 SOT23 小 13 倍
0.4mm 薄型 — 特别适合薄型应用
低栅极阈值电压
快速切换速度
ESD 保护门
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
负载开关
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 0.8（状态）A，1（稳定）A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | X2-DFN1006 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 700 μΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 900 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±12 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 0.65mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.3 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 1.05mm |
