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Vishay SIZ702DT-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SIZ702DT-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

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Vishay SIZ702DT-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

双 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 13.8 A，14 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 PowerPAIR
安装类型 表面贴装
引脚数目 6
最大漏源电阻值 14.5 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 27 W, 30 W
晶体管配置 串行
最大栅源电压 -20 V、+20 V
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V
长度 6.08mm
最高工作温度 +150 °C
宽度 3.81mm
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 2
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