TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 60 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SO-8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2V |
| 最小栅阈值电压 | 3.6V |
| 最大功率耗散 | 65.7 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5.99mm |
| 晶体管材料 | Si |
