50 V，170 mA 双 P 沟道 Trench MOSFET，双 P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用超小型和扁平引线 SOT666 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
逻辑电平兼容
超快切换
Trench MOSFET 技术
ESD 保护达 1 kV
符合 AEC-Q101
继电器驱动器
高速线路驱动器
高侧负载开关
开关电路
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | -0.17 A |
| 最大漏源电压 | -50 V |
| 封装类型 | SOT-666 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 13.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | -2.1V |
| 最小栅阈值电压 | -1.1V |
| 最大功率耗散 | 1.09 W |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 1.7mm |
| 宽度 | 1.3mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.26 nC @ 2.5 V |
