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Infineon F3L11MR12W2M1B74BOMA1 MOSFET

订 货 号:F3L11MR12W2M1B74BOMA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon F3L11MR12W2M1B74BOMA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon F3L11MR12W2M1 是碳化硅 MOSFET 模块。此模块在能量存储系统中每个模块具有 75 kW 功率以及短且干净的换向回路。该模块具有高度自由度,用于变频器设计。

直流链路电压增加
高电流密度
降低开关损耗


属性 数值
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 1200 V
封装类型 托盘
安装类型 表面贴装
最大栅阈值电压 5.15V
暂无

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