N 沟道 40 V，7.6 mΩ 逻辑电平 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封装，使用 TrenchMOS 技术。此产品经过设计符合 AEC Q101 标准，可用于高性能汽车应用。
符合 Q101 标准
重复性耐雪崩等级
由于额定温度为 175 °C，适用于对热量要求苛刻的环境
逻辑高电平驱动，在 175 °C 时，栅极 VGS(th) 额定值大于 0.5 V
12 V 汽车系统
电动机、灯和电磁阀控制
传输控制
超高性能功率开关
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 79 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | LFPAK56，Power SO8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 4 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 15.28 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.45V |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V |
| 最大功率耗散 | 95 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 15 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| 宽度 | 4.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
