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Infineon IPB120N06S4H1ATMA2 MOSFET

订 货 号:IPB120N06S4H1ATMA2      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon IPB120N06S4H1ATMA2 MOSFET
产品详细信息

the Infineon ® T2 系列 n 沟道功率 mosfet 。它具有低切换和传导功率损耗、可实现高热效率。

N 通道 - 增强模式
175°C 工作温度
100% 雪崩测试


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 120 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 0.002. Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
暂无

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