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STMicroelectronics STU1HN60K3 MOSFET

订 货 号：STU1HN60K3      品牌：Tronics

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STMicroelectronics STU1HN60K3 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 1.2 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 IPAK (TO-251)
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 8 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.5V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 27 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -30 V、+30 V
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V
长度 6.6mm
宽度 2.4mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
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