一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 75 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 536 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
