ON Semiconductor Q2BOOST 模块是 Si 或 SiC 混合三通道对称升压模块。每个通道包含两个 1000 V ， 150 A IGBT ，两个 1200 V ， 30 A SiC 二极管和两个 1600 V ， 30 A 旁路二极管。该模块包含一个 NTC 热敏电阻。
硅或 SiC 混合技术可最大程度提高功率密度
低切换损耗可减少系统功耗
低电感布局
压配和焊接引脚选项
此设备无铅，无卤，符合 RoHS 标准
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 101 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1000 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 晶体管数 | 2 |
| 最大功率耗散 | 79 W |
| 封装类型 | Q2BOOST - 箱 180BR (无铅和无卤化物焊接引脚) |
