使用新型现场停止 IGBT 技术， ON Semiconductor 公司推出的第 4 代 RC IGBT 系列新产品为整流器 PFC 级和工业应用提供了最佳性能。
最高结温： TJ =175 ° C
良好的温度共效，便于并行操作
高电流容量
低饱和度电压： VCE (SAT) = 1.6V (typ.) @IC =40A
高输入阻抗
已测试 ILM 的 100% 部件
快速切换
已拧紧的参数分布
具有单片反向导电二极管的 IGBT
应用
消费电器
PFC ，焊接器
工业应用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 94 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | TO-3PF |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.7 x 5.7 x 24.7mm |
