这些设备是使用 Advanced 专利的沟渠门和现场停车结构开发的 IGBT 。该设备是新的 HB 系列 IGBT 的一部分、它代表了传导和切换损耗之间的最佳折衷、以最大限度地提高任何变频器的效率。此外、 VCE （ SAT ）温度系数略微正极、参数分布非常紧、因此可实现更安全的并联操作。
最大接点温度： TJ= 175 °C
高速切换系列
最小化尾电流
VCE （ SAT ） = 1.55 V （典型值） @ IC = 20 A
严格的参数分布
安全并联
低热阻
无铅封装
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 40 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 168 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | TO |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
