600 V IGBT H 系列基于沟道场截止 (TFS) 技术，具有极低的饱和电压（低至 1.5 V），带最小集电极电流关闭尾线和 175 °C 的最高工作接点温度，提高了中频家电应用的效率。严格控制覆盖参数结合 VCE(sat)，显示正温度系数，使其可安全并联多个 IGBT，从而满足更高的功率要求并简化设计。
中速 IGBT 系列经优化用于家电应用（8 至 30 kHz）
由于 175°C 的最大工作温度范围 (TJ) 和 600 V 的击穿电压，因此坚固耐用，非常可靠
非常低的饱和电压（低至 1.5 V），可提高效率
正温度系数，可安全并联多个 IGBT
二极管针对目标应用进行优化（低 EMI 和快速恢复时间）
高速切换
严格的参数分布
安全并联
低热阻
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 30 A @ +25°C |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 115 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | TO |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 开关速度 | 1MHz |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm |
