ON Semiconductor FGH30S130P 是一款具有短路阳极和现场停止沟道技术的 1300V 、 30A IGBT 。软交换应用非常适合 FGH 30S130P ，具有高效传导和高开关性能特性。FGH30S130P IGBT 可在并行配置下工作，并提供强大的雪崩功能。
FGH 30S130P IGBT 设计用于感应加热、微波炉和其他家用电器。
• TO-247 封装
•高速切换
•出色的传导性能
• 低饱和电压
• 高输入阻抗
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 60 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1300 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±25V |
| 最大功率耗散 | 500 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
