STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce ( sat )行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
设计仅用于软换向
最大接点温度: tj = 175 °c
vce ( sat ) = 1.55 v (典型值) @ ic = 30 a
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
低压降电压续流联合封装二极管
正 vce ( sat )温度系数
属性 | 数值 |
---|---|
最大连续集电极电流 | 60 A |
最大集电极-发射极电压 | 650 V |
最大栅极发射极电压 | ±20V |
晶体管数 | 1 |
最大功率耗散 | 108 W |
封装类型 | TO-247 |
引脚数目 | 4 |