STMicroelectronics IGBT 采用先进的专利场截止型沟槽栅极结构开发方法。该器件属于 H 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地提高高切换频率转换器的效率。此外，VCE(饱和) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。
最大接点温度 TJ = 175 °C
短路耐受时间 5 μs
在 = 75 A 时，VCE(饱和) = 2.1 V（典型值）
参数分布紧密
正 VCE(饱和) 温度系数
低热阻
超快恢复反射并联二极管
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 150 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 750 W |
| 封装类型 | Max247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
