ON Semiconductor 双升压电源模块是包含双升压级的电源模块。集成的场截止沟道 IGBT 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。
1200 V 超场截止 IGBT
低反向恢复和快速切换 SiC 二极管
1600 V 旁路和抗并联二极管
低电感布局
可焊接引脚或压配引脚
热敏电阻选项，带预应用热接口材料，不带预应用 TIM
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 61 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 186 W |
| 晶体管数 | 2 |
| 封装类型 | 箱 180AJ (无铅和无卤化物) 焊接引脚 |
