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onsemi FGY75T95LQDT IGBT

订 货 号:FGY75T95LQDT      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FGY75T95LQDT IGBT
产品详细信息

沟道场停止第 4th 代低 vcesat−与全额定电流二极管一起封装

最大接点温度:TJ = 175℃
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压:VCE(sat) = 1.31 V(典型值)@ IC = 75 A
快速切换
严格的参数分布
这些设备无铅


属性 数值
最大集电极-发射极电压 950 V
最大功率耗散 453 W
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
引脚数目 3
晶体管配置
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm
暂无

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