ON semiconductor 的新系列场截止第 4 代 IGBT 采用创新的场截止 IGBT 技术，为低传导和切换损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供最佳性能。
最大接点温度：TJ = 175 °C
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 60 A
高输入阻抗
快速切换
严格的参数分布
应用
太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS、PFC
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 60 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±30V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 333 W |
| 封装类型 | TO-247 G03 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | P |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
