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Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 IGBT

订 货 号:FF900R12ME7B11BOSA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 IGBT
产品详细信息

the Infineon ™ 31200 v , 900 a 双 trenchstop ™ IGBT7 模块,带有发射器控制的 7 个二极管, ntc 和 presfit 触点技术。还提供预应用的热介面材料。

最高功率密度
杰出的 vce sat
tvj op = 175°c 过载
改进的接线端子
优化的爬电距离、用于 1500 v pv 应用


属性 数值
最大连续集电极电流 900 A
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 20V
最大功率耗散 20 毫瓦
封装类型 Ag-econod
配置
通道类型 N
晶体管配置 共发射极
暂无

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