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订 货 号：SIA456DJ-T1-GE3 品牌：威世_Vishay
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型号：FP30R06W1E3B11BOMA1
价格： ¥0
库存：10
订货号： FP30R06W1E3B11BOMA1
型号：FF150R12RT4HOSA1
订货号： FF150R12RT4HOSA1
型号：STGIB15CH60TS-L
订货号： STGIB15CH60TS-L
型号：MWI200-06A8
订货号： MWI200-06A8
Vishay SIA456DJ 是 N 沟道 MOSFET ，具有 200V 的漏极至源电压 (VDS) 和 16V 的栅极至源电压 (VGS)。它采用 POWER PAK SC-70 封装。它在 4.5VGS 时提供 1.38ohm 的漏极到源电阻 (RDS) ，在 2.5VGS 时提供 1.5ohm 的电阻。最大漏极电流 2.6A。
Trench FET 功率 MOSFET热增强型 Power PAK SC-70 封装占地面积小
