当前位置: 首页 > 工业电子产品 > 无源元器件 > IGBT器件 > 低功率IGBT

+比较

威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT

订 货 号:SIA433EDJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

库存数量:10             品牌属性:

品牌商价:¥0.00

环 球 价: 登陆后可查看

-
+

公司基本资料信息







  • 关联产品
  • 替代产品
  • 产品介绍
  • 产品属性
  • 相关资料
  • 产品评价(0)
威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT
产品详细信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安装 P 沟道 PowerPAK-SC70-6 MOSFET 是一款新时代的产品,漏极源电压为 20V ,最大栅极源电压为 12V。在 4.5V 的栅极源电压下,漏极源电阻为 18mms。它的最大功耗为 19W ,连续漏极电流为 12A。它的最小和最大驱动电压分别为 1.8V 和 4.5V。此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势

•内置 ESD 保护,带齐纳二极管
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•低接通电阻
•新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•占地面积小
• TrenchFET 功率 MOSFET
•典型 ESD 性能为 1800V

应用

•蓄电池开关
•充电器开关
•负载开关
• 便携式设备

认证

• ANSI/ESD S20.20 : 2014
• BS EN 61340-5-1 : 2007
•经过 RG 测试


暂无

正在载入评论详细...