Infineon 的这款 EasyPACK 2B 650 V、100 A 3 级 IGBT 模块配有 Trench/Fieldtop IGBT H3 和快速二极管以及 PressFIT / NTC。该器件采用紧凑型设计，使用便捷，性能得到了优化。该器件具备额外的优势，如阻断电压能力提高到 650 V、低电感设计、低开关损耗和低 VCE (sat)。它使用 Al2O3 基片和 PressFIT 触点技术，热电阻低。由于随附集成式安装夹，该器件安装牢固。
性价比最高，且降低系统成本
设计自由度高，并采用 IGBT HighSpeed 3 技术
效率最高，功率密度最高
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 70 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 20 mW |
| 晶体管数 | 4 |
