STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 专有沟道栅极场停止结构开发。此设备是 H 系列 IGBT 的一部分，它代表传导和切换损耗之间的最佳平衡，以最大程度提高高切换频率转换器的效率。此外， VCE (sat) 温度系数略为正，参数分布非常紧密，可实现更安全的并联操作。
最大接点温度 TJ = 175 °C
μs 耐受时间为 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
严格的参数分布
正 VCE (sat) 温度系数
低热阻
反并联二极管恢复速度非常快
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 50 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 535 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | 最大 247 长引线 |
| 配置 | 串行 |
