Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 5.6mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET
•交流 / 直流开关模式电源
•电池管理
•直流 / 交流变频器
•直流 / 直流转换器
• 照明
•电机驱动开关
•同步整流器
• UPS（不间断电源）
