ON Semiconductor 完全集成的反相器功率级包括一个高电压驱动器，六个 IGBT 和一个热敏电阻，适用于驱动永磁同步电动机，无刷直流电动机和交流异步电动机。IGBT 配置在 3 相桥中，带有单独的发射器连接，用于较低的支脚，以在选择控制算法时提供最大的灵活性。
DBC 具有良好的散热性
通过高功率密度优化损耗和 EMI
多功能集成，用于紧凑型设计
通过嵌入式 NTC 实现更准确的模块温度测量
集成限幅二极管和电阻器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶体管数 | 6 |
| 封装类型 | DIP |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 38 |
| 晶体管配置 | 串行 |
