这款意法半导体产品为采用先进的专有场截止型沟槽栅结构开发的 IGBT。此设备属于 H 系列绝缘栅双极晶体管（IGBT），可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地改善切换频率转换器的效率。此外，VCE(sat) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。
AEC-Q101 认证
高速切换系列
并联更安全
参数分布更紧密
低热电阻
反并联软快恢复二极管
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 60 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | 20V |
| 最大功率耗散 | 260 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 配置 | 单 |
| 封装类型 | H2PAK-2 |
