STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 20 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 40 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 147 W |
| 封装类型 | TO-220 |
| 引脚数目 | 3 |
