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onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT

订 货 号:NXH350N100H4Q2F2S1G      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT
产品详细信息

ON Semiconductor 三级 NPC Q2 封装模块是高密度集成电源模块,结合了高性能 IGBT 和坚固的反并联二极管。

极其高效的沟道,采用场截止技术
低切换损耗可减少系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
低封装高度
这些设备无铅,无卤,无 BFR ,符合 RoHS 标准


属性 数值
最大连续集电极电流 303 A
最大集电极-发射极电压 1000 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 592 W
晶体管数 4
封装类型 Q2PACK (无铅 / 无卤化物)
暂无

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