STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce ( sat )行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
最大接点温度: tj = 175 °c
低 vce ( sat ) = 1.55 v (典型值) @ ic = 50 a
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
属性 | 数值 |
---|---|
最大连续集电极电流 | 86 A |
最大集电极-发射极电压 | 650 V |
最大栅极发射极电压 | ±20V |
最大功率耗散 | 272 W |
晶体管数 | 1 |
封装类型 | D2PAK (TO-263) |
引脚数目 | 3 |