1200 V IGBT M 系列基于沟道场截止 (TFS) 技术，设计用于在 2 至 20 kHz 切换频率下工作的应用。这些 IGBT 具有高度优化的传导和关断特性以及导通损耗，特别适用于应用（例如太阳能反相器、焊接设备、UPS 和工业电动机驱动器）中的硬切换电路。
低损耗 IGBT 系列，用于高达 20 kHz 的应用
由于达到 1200 V 的击穿电压，因此坚固耐用，非常可靠
薄型 IGBT 模具，用于增加热阻
正 VCE(sat) 温度系数，具有严格的参数分布
优化二极管，确保快速恢复
短路耐受时间为 11 μs
严格的参数分布
更安全的并联
低热阻
反并联二极管柔软且可快速恢复
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 16 A @ +25°C |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 167 W |
| 封装类型 | TO |
| 安装类型 | 通孔 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 开关速度 | 1MHz |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
