STMicroelectronics HB2 650 v 、但其代表着先进 Advanced trench gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。仅用于保护目的的二极管与电极绝缘并联封装。结果是专门设计用于最大程度提高效率的产品、适用于各种快速应用。
最大接点温度为 175°c
共封装保护二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正温度系数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 86 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | 20V |
| 最大功率耗散 | 272 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | TO-247 |
| 通道类型 | N |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
