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Fairchild Semiconductor FGD3245G2_F085 IGBT

订 货 号:FGD3245G2_F085      品牌:IRC

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Fairchild Semiconductor FGD3245G2_F085 IGBT
产品详细信息

汽车点火开关 IGBT,Fairchild Semiconductor

这些 EcoSPARK IGBT 设备经过优化,可用于驱动汽车点火线圈。它们已通过压力测试,并符合 AEC-Q101 标准。

特点

• 逻辑电平栅极驱动
• ESD 保护
• 应用:汽车点火线圈驱动器电路、火花塞上线圈应用。

RS 产品代码


864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK
864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2

807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK

864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK

864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220

864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2

864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK

807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK

864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2

864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31A TO220

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450V 43A D2PAK

所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。

标准

AEC-Q101

IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


属性 数值
最大连续集电极电流 23 A
最大集电极-发射极电压 450 V
最大栅极发射极电压 ±10V
最大功率耗散 150 W
封装类型 DPAK
安装类型 表面贴装
通道类型 N
引脚数目 3
晶体管配置
尺寸 6.6 x 6.1 x 2.3mm
暂无

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