ON Semiconductor 1200 V ， 40 A 超场截止 IGBT。此 IGBT 使用快速切换共封装二极管，使其特别适用于硬切换应用，其中 EON ， IRRM 和 TRR 是决定损耗的重要因素。超场停止 IGBT 为低传导损耗设备提供出色的 切换损耗。
40 A 时低 VCE (sat) 1.55V
Eon 1.04mJ @ 600V/40A
Eoff 1.35mJ @ 600V/40A
IRRM 41.3A @ 175C 1A/ns 40A
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 最大栅极发射极电压 | 20V |
| 最大功率耗散 | 153 W |
| 晶体管数 | 30 |
| 封装类型 | TO-247 |
