一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
属性 | 数值 |
---|---|
晶体管类型 | NPN + PNP |
最大直流集电极电流 | 1 A |
最大集电极-发射极电压 | 60 V |
封装类型 | TSOP |
安装类型 | 表面贴装 |
最大功率耗散 | 700 mW |
最小直流电流增益 | 250 |
晶体管配置 | 隔离式 |
最大集电极-基极电压 | 80 V |
最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大工作频率 | 220 MHz |
引脚数目 | 6 |
每片芯片元件数目 | 2 |