STMicroelectronics 低电压快速切换 NPN 功率晶体管采用全新低电压平面技术，采用双金属工艺。因此，晶体管具有超高增益性能和极低饱和电压。补充 PNP 类型包括 2STD2360T4 ， 2STF2360 和 2STN2360。
极低的集电极 - 发射极饱和电压
高电流增益特性
快速切换速度
STMicroelectronics（意法半导体）生产的各种 NPN 和 PNP 双极晶体管，包括通用、达林顿、功率和高压设备，采用表面安装和通孔封装。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大直流集电极电流 | 3 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-89 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 1400 mW |
| 最小直流电流增益 | 160 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V |
| 最大工作频率 | 130 MHz |
| 引脚数目 | 3 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
