这些 N 通道逻辑电平 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度地降低电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用，因为这些应用需要低线内功耗和快速开关。
最大 RDS (on) =40 M Ω ， VGS =10 V ， ID =4.8A
最大 RDS (on) =51 M Ω ， VGS =4.5 V ， ID =4.3 A
快速切换速度
栅电荷低
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力。
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 封装类型 | WDFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 1.6 W |
| 引脚数目 | 8 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
