这些双 N 通道和 P 通道增强模式功率场效应晶体管采用 Advanced PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用，这些应用需要低线电源损耗和快速切换。
问题 1 ： N 信道
7.0 A ， 30 V
RDS (on) =28 M Ω @VGS =10 V
RDS(on) =40m Ω @VGS =4.5 V
问题 2 ： P 信道
-5 A ， -30 V
RDS (on) =52m Ω @VGS=-10V
RDS(on) =80m Ω @VGS=-4.5 V
快速切换速度
高功率和处理能力，采用广泛使用的表面安装封装
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 引脚数目 | 8 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
