这些双路 P 通道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术来生产。这种非常高的密度过程特别适合于最大限度地减少状态电阻。此器件专为低电压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小型信号 MOSFET 。
-25 V ， -0.41 A 连续， -1.5 A Peak 。
RDS (on) =1.1 Ω @VGS =-4.5 V ，
RDS(on) =1.5 Ω @VGS=-2.7 V
极低水平门驱动要求，允许在 3V 电路中直接操作 (VGS(TH)< 1.5 V) 。
用于 ESD 坚固性的门源齐纳（> 6kV 人体模型）。
小型工业标准 SC70-6 表面安装封装。
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 封装类型 | SC-70 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 引脚数目 | 6 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
