这种 N 通道增强模式功率 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 公司专有的平面条带和 DMOS 技术制造。这项 Advanced MOSFET 技术经过特别定制，可降低电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量。这些器件适用于 Switched Mode 电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
0.45 A ， 400 V ， RDS （接通） =4.2 Ω （最大） @VGS =10 V ， ID =0.225 A
低栅电荷（典型值） 5.8NC ）
低 CMSS （典型 5 pF ）
应用
照明
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 封装类型 | SOP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 晶体管配置 | 双路 |
| 引脚数目 | 8 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
