此系列数字晶体管设计用于替换单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个具有单片偏置网络的单晶体管，由两个电阻器、一个系列基电阻器和一个基极发射器电阻器组成。BRT 通过将这些组件集成到单个设备中来消除这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和板级空间。
简化电路设计
减少板级空间
减少组件数量
S 和 NSV 前缀，适用于需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用，具有 PPAP 功能
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN + PNP |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V 直流 |
| 封装类型 | SOT-363 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 256 兆瓦 |
| 晶体管配置 | 双路 |
| 引脚数目 | 6 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
