来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大直流集电极电流 | 45 mA |
| 最大集电极-发射极电压 | 4.2 V |
| 封装类型 | TSFP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 160 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大集电极-基极电压 | 4.9 V |
| 最大发射极-基极电压 | 0.5 V |
| 最大工作频率 | 47 GHz |
| 引脚数目 | 4 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
