此 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench ® 工艺制造，该工艺已针对 RDS (on) 、开关性能和坚固性进行了优化。
最大 RDS (on) =109 Ω ， VGS =10 V ， ID =2.7 A
最大 RDS (on) =176 M Ω ， VGS = 6V ， ID = 2.1 A
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
高功率和电流处理能力，采用广泛使用的表面安装封装
快速切换速度
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 封装类型 | TSOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 1.6 W |
| 引脚数目 | 6 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
