一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大直流集电极电流 | 2.7 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 1.1 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大集电极-基极电压 | -60 V |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
