低 VCEsat (BISS) 单结功率晶体管满足高效运行的要求。在大功率系统中，节能运行对低功耗应用同样重要。通过最大限度地降低功耗和散热，我们的 BISS 解决方案可帮助您应对这一设计挑战。
40 V，10 A PNP 大功率双极型晶体管，PNP 大功率双极型晶体管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面贴装器件 (SMD) 功率晶体管塑料封装。NPN 互补型：PHPT60410NY
高热功耗能力
适用于高达 175 °C 的高温应用
与 DPAK 封装的晶体管相比，减少了印刷电路板 (PCB) 的需要
由于产生较少的热量，因此具有高能源效率
符合 AEC-Q101
电源管理
负载开关
线性模式电压调节器
背光应用
电动机驱动器
代替继电器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大直流集电极电流 | -10 A |
| 最大集电极-发射极电压 | -40 V |
| 封装类型 | LFPAK56, SOT669 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散 | 25 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大集电极-基极电压 | -40 V |
| 最大发射极-基极电压 | -8 V |
| 最大工作频率 | 97 MHz |
| 引脚数目 | 4 + Tab |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
