这两种工艺技术采用应变硅和蓝宝石衬底,主要用于RF无线和宽带市场,用来改进硅芯片的速度和功耗。这些先进材料具有抗辐射特性,可用于航天应用。IQE称,经过进一步开发,这些材料还可用于工业电子、消费电子和汽车电子器件的高级微控制器。

“一种新工艺已经通过了一个重要客户的全面验证并将立即进入量产,”IQE Silicon的运营经理Moz Fisher这样介绍。“第二种工艺需要针对客户的应用进行一些重要的重新设计,这将延长验证时间,但也有望在未来两年进入量产。”

该工艺的开发与Welsh Assembly Government的SMART项目一致,并受到了后者的资金支持。

IQE的硅外延操作可以获得具有埋置型外延层的硅晶圆、具有应变硅的SOI和蓝宝石晶圆、多层和部分外延的晶圆以及锗和SiGe外延晶圆。