当前位置: 首页 > 工业电子产品 > 无源元器件 > 光电耦合器 > MOSFET输出光电耦合器
+比较
光电探测器从 IRED 发光二极管输入以电气方式隔离。 光耦合器如同理想的隔离 FET 一样工作,设计用于无失真控制低交流和直流电平模拟信号。
属性 | 数值 |
---|---|
安装类型 | 表面安装 |
输出设备 | FET |
最大正向电压 | 1.75V |
通道数目 | 1 |
针数目 | 6 |
封装类型 | DIP |
输入电流类型 | 直流 |
典型上升时间 | 45 (Maximum)µs |
最大输入电流 | 60 mA |
隔离电压 | 7.5 kVrms |
典型下降时间 | 45 (Maximum)µs |