射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 20 A |
最大漏源电压 | 125 V |
封装类型 | M174 |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 4 |
通道模式 | 增强 |
最大功率耗散 | 389 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
宽度 | 24.89mm |
长度 | 26.67mm |
最高工作温度 | +200 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |