碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的静电释放源接通电阻，用于 1200V 额定电压，并具有极佳的切换性能，可转换为更高效率和紧凑的系统。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 45 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | Hip247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 270 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -10 V, +25 V |
| 宽度 | 5.15mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +200 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 105 nC @ 20 V |
| 长度 | 15.75mm |
